Гапонов Сергей Викторович (5 марта 1937, Горький — 9 октября 2024) — советский и российский физик-экспериментатор, доктор физико-математических наук (1990), профессор (1993), академик РАН (2008), лауреат Государственной премии СССР. Специалист в области лазерной физики, взаимодействия электромагнитного излучения с веществом, рентгеновской оптики, высокотемпературной сверхпроводимости и физики твердотельных наноструктур. Основатель и первый директор Института физики микроструктур РАН в Нижнем Новгороде.[1][2]
Родился в семье учёных-радиофизиков Виктора Ивановича Гапонова и Марии Тихоновны Греховой.[1]
Образование и ранняя карьера
В 1965 году окончил радиотехнический факультет Горьковского политехнического института им. Жданова.[2] С 1964 по 1978 год работал в Горьковском институте «Салют», последовательно занимая должности техника, инженера, старшего инженера, ведущего конструктора, начальника сектора и начальника лаборатории; в 1975 году получил степень кандидата технических наук.[4]
В 1978 году перешёл в Институт прикладной физики АН СССР на должность заведующего отделом твердотельной технологии и полупроводниковых приборов. В 1988 году был избран заведующим отделением физики твёрдого тела ИПФ АН, а с 1992 года совмещал должности директора отделения ИПФ РАН и заместителя директора института. Докторская диссертация защищена в 1990 году.[1][4]
Институт физики микроструктур и научная деятельность
В 1993 году Гапонов основал Институт физики микроструктур РАН и возглавлял его до 2009 года, после чего перешёл на должность советника РАН.[2] По совместительству с 1989 по 2014 год заведовал кафедрой электроники радиофизического факультета Нижегородского государственного университета им. Н. И. Лобачевского.[4]
В области лазерной физики Гапонов разработал концепцию импульсно-периодических лазеров, объединяющую теплофизические и оптические аспекты, включая методы модуляции и управления излучением. В частности, предложен метод модуляции на явлениях самофокусировки и вынужденного рассеяния Мандельштама — Бриллюэна (ВРМБ) — первое практическое использование внутрирезонаторного обращения волнового фронта. Ему принадлежит ведущая роль в исследованиях взаимодействия лазерного излучения среднего диапазона интенсивности (107–1010 Вт/см²) с веществом, в том числе в определении роли неустойчивости фронта испарения и рекомбинационных явлений в формировании энергетического спектра плазмы.[4]
В области физики твёрдого тела в 1979 году Гапонов с сотрудниками получил и экспериментально исследовал первые квантовые сверхрешётки, а в 1987 году впервые вырастил эпитаксиальные плёнки высокотемпературных сверхпроводников с предельной токонесущей способностью. На этих плёнках были получены пионерские результаты по исследованию токопереноса в сильных магнитных полях и определению энергии центров пиннинга.[2][4] Работы по созданию многослойной рентгеновской оптики и освоению экстремального ультрафиолетового и мягкого рентгеновского диапазонов длин волн были удостоены Государственной премии СССР 1991 года; возглавляемый им коллектив стал одним из мировых лидеров в области проекционной литографии диапазона 11–13 нм.[1]
Гапонов опубликовал свыше 200 научных работ, получил 7 авторских свидетельств, подготовил 2 докторов и 9 кандидатов наук. С 1996 по 2015 год руководил ведущей научной школой России.[4]
Членство в академических структурах
В 1994 году избран членом-корреспондентом РАН, в 2008 году — академиком по Отделению физических наук.[2] Входил в Научный совет по проблеме «Физика полупроводников», Научный совет по проблеме «Актуальные направления в физике конденсированного состояния», Президиум Объединённого научного совета по спектроскопии РАН; являлся членом Бюро Отделения физических наук РАН и Бюро совета директоров институтов РАН, председателем специализированного докторского совета, членом редакционного совета журнала «Нано- и микросистемная техника».[1][4]
Награды и звания
Лауреат Государственной премии СССР в области науки и техники за работы в области многослойной рентгеновской оптики (1991). Кавалер ордена Дружбы (1999).[4]